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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
59
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.2
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
59
读取速度,GB/s
9.2
7.3
写入速度,GB/s
8.1
4.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1421
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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