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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.2
8.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
54
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
42
读取速度,GB/s
9.2
8.3
写入速度,GB/s
8.1
5.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1687
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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