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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2549
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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