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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
54
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
24
读取速度,GB/s
9.2
12.6
写入速度,GB/s
8.1
5.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2130
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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