RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

总分
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

总分
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB 需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 54
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.9 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    9.2 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 10.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2105 left arrow 2755

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
内存RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
内存RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
内存RAM