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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
58
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
58
读取速度,GB/s
9.2
18.0
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2025
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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