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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
10.8
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2349
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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