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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
47
读取速度,GB/s
9.2
10.0
写入速度,GB/s
8.1
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2308
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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