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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
9.2
15.5
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2283
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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