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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
47
读取速度,GB/s
9.2
11.6
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2537
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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