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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
54
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
36
读取速度,GB/s
9.2
13.4
写入速度,GB/s
8.1
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2466
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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