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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
40
读取速度,GB/s
9.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2462
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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