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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2368
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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