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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
9.2
20.5
写入速度,GB/s
8.1
16.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3616
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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