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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
17.6
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3029
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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