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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
63
左右 -163% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
24
读取速度,GB/s
8.1
16.4
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3005
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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