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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
8.1
15.4
写入速度,GB/s
7.5
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2815
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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