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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
8.1
18.5
写入速度,GB/s
7.5
14.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3402
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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