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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.8
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 46
    左右 -15% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 3200
    左右 8 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    2,909.8 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    1,519.2 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 2709

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较

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