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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
8.1
15.6
写入速度,GB/s
7.5
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2949
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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