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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
63
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
43
读取速度,GB/s
8.1
16.5
写入速度,GB/s
7.5
12.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2885
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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