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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
117
左右 -350% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
26
读取速度,GB/s
3,094.8
18.8
写入速度,GB/s
2,303.7
15.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3733
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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