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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
75
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
75
读取速度,GB/s
8.1
13.6
写入速度,GB/s
7.5
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
1457
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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