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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
7.3
13.8
写入速度,GB/s
6.6
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1760
2415
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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