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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
总分
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
10.2
20.0
写入速度,GB/s
7.6
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2049
3786
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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