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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
比较
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
总分
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
总分
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.2
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
10.2
9.6
写入速度,GB/s
7.6
5.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2049
1839
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
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