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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
比较
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
总分
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
总分
Super Talent F24UB16GV 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Super Talent F24UB16GV 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
10.2
16.0
写入速度,GB/s
7.6
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2049
3046
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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