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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.0
17.3
写入速度,GB/s
8.2
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3294
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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