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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
89
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
10
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
89
读取速度,GB/s
10.0
14.2
写入速度,GB/s
8.2
7.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
1571
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM的比较
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C10 4GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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