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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.0
7.7
写入速度,GB/s
8.2
8.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2163
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
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Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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