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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
InnoDisk Corporation 16GB Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation 16GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 49
    En -29% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    49 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.0 left arrow 7.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2116 left arrow 2163

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

InnoDisk Corporation 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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