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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905734-062.A00G 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.0
17.4
写入速度,GB/s
8.2
15.5
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3779
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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