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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
13.8
写入速度,GB/s
7.3
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2415
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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