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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.8
15.9
写入速度,GB/s
7.3
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3023
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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