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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
11.8
14.2
写入速度,GB/s
7.3
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2807
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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