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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
11.8
19.4
写入速度,GB/s
7.3
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3509
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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