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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
7.3
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2907
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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