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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
14.3
写入速度,GB/s
7.3
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2929
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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