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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
11.8
17.4
写入速度,GB/s
7.3
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3537
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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