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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
11.8
19.4
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3659
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-010.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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