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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
19.9
写入速度,GB/s
7.3
16.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3832
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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