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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
11.8
18.3
写入速度,GB/s
7.3
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3615
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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