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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
16.6
写入速度,GB/s
7.3
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3141
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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