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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
18.5
写入速度,GB/s
7.3
15.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3784
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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