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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
15.9
写入速度,GB/s
7.3
11.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2824
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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