RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 32
    左右 16% 更低的延时
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.0
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 8.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 2243

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
内存RAM
Kingston KHX16 4GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
内存RAM