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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
16.3
写入速度,GB/s
7.3
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2937
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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