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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
55
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
55
读取速度,GB/s
11.8
15.1
写入速度,GB/s
7.3
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2665
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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