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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
81
左右 67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
81
读取速度,GB/s
11.8
13.3
写入速度,GB/s
7.3
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1456
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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