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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
7.3
10.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2936
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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